STP55NF06 與STP60NF06L 、FQP50N06L 區別
更新時間：2022-05-08 03:25:29
STP55NF06
意法半導體
VS
STP60NF06L
意法半導體
VS
FQP50N06L
飛兆/仙童
USD-$ 美元
RMB-￥ 人民幣
EUR-€ 歐元
GBP-￡ 英鎊
CAD-C$ 加幣
CHF-? 法郎
HKD-$ 港幣
INR-RS 盧比
JPY-￥ 日元
KRW-? 韓元
RUB-? 盧布
TWD-$ 新臺幣
型號
STP55NF06
STP60NF06L
FQP50N06L
描述
MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
STP55NF06 更多代替型號
N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics
STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。
### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
STP60NF06L 更多代替型號
QFET? N 通道 MOSFET，超過 31A，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數校正）、直流－直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術，Fairchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質因素 (FOM)。
### MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統啟動和運行更長時間。
FQP50N06L 更多代替型號
數據手冊
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制造商
ST Microelectronics (意法半導體)
ST Microelectronics (意法半導體)
Fairchild (飛兆/仙童)
分類
MOS管
MOS管
MOS管
封裝
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
引腳數
3
3
3
通道數
1
-
1
額定功率
110 W
-
-
耗散功率
30 W
110 W
121 W
針腳數
3
3
3
輸入電容
-
-
1.25 nF
上升時間
50 ns
220 ns
380 ns
額定電壓(DC)
60.0 V
60.0 V
60.0 V
漏源極電阻
0.015 Ω
0.014 Ω
0.017 Ω
極性
N-Channel
N-Channel
N-Channel
閾值電壓
3 V
1 V
2.5 V
漏源極電壓(Vds)
60 V
60 V
60 V
ECCN代碼
-
EAR99
EAR99
香港進出口證
-
-
NLR
額定電流
50.0 A
60.0 A
52.4 A
漏源擊穿電壓
60.0 V
60.0 V
60.0 V
柵源擊穿電壓
±20.0 V
±15.0 V
±20.0 V
連續漏極電流(Ids)
50.0 A
60.0 A
52.0 A
工作溫度
-55℃ ~ 175℃
-65℃ ~ 175℃ (TJ)
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
柵電荷
-
-
24.5 nC
長度
10.4 mm
10.4 mm
10.1 mm
寬度
4.6 mm
4.6 mm
4.7 mm
高度
9.15 mm
9.15 mm
9.4 mm
安裝方式
Through Hole
Through Hole
Through Hole
包裝方式
Tube
Tube
Tube
REACH SVHC標準
No SVHC
No SVHC
No SVHC
含鉛標準
RoHS標準
產品生命周期
Active
Active
Active
輸入電容(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
2000pF @25V(Vds)
1630pF @25V(Vds)
額定功率(Max)
110 W
110 W
121 W
下降時間
15 ns
30 ns
145 ns
工作溫度(Max)
175 ℃
175 ℃
175 ℃
工作溫度(Min)
-55 ℃
-65 ℃
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)
110W (Tc)
121 W
REACH SVHC版本
2015/12/17
-
2015/06/15
晶體管極性
N Channel
N Channel
N Channel
工業級
Yes
Yes
-
參考價格（
$
0.313
全部價格
(15家)
$
0.595
全部價格
(13家)
$
0.620
全部價格
(9家)
總庫存量（pcs）
587
0
355
概述
STP55NF06 產品概述
N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics
STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。
### MOSFET 晶體管 ，STMicroelectronics
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STP60NF06L 產品概述
N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics
STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。
### MOSFET 晶體管 ，STMicroelectronics
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FQP50N06L 產品概述
The FQP50N06L is a 60V N-channel QFET? enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.
. Low gate charge . 100% Avalanche tested . Improved system reliability in PFC and soft switching topologies . Switching loss improvements . Lower conduction loss . 175°C Maximum junction temperature rating
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更多代替型號
STP55NF06 更多代替型號
STP60NF06L 更多代替型號
FQP50N06L 更多代替型號
STP55NF06和STP60NF06L，FQP50N06L的區別：STP55NF06 TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ；STP60NF06L TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ，FQP50N06L TO-220 N-Channel 60V 52A 21mohms 1.25nF。STP55NF06和STP60NF06L；FQP50N06L哪個好：STP55NF06 MOSFET 晶體管，STMicroelectronics；STP60NF06L N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics
STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。
### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics；FQP50N06L QFET? N 通道 MOSFET，超過 31A，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數校正）、直流－直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術，Fairchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質因素 (FOM)。
### MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統啟動和運行更長時間。。STP55NF06和STP60NF06L，FQP50N06L對比：STP55NF06
封裝:TO-220-3,引腳:3,通道數:1,額定功率:110 W,功耗:30 W,針腳數:3,上升時間:50 ns,額定電壓:60.0 V,漏源極電阻:0.015 Ω,極性:N-Channel,閾值電壓:3 V,漏源極電壓:60 V,額定電流:50.0 A,漏源擊穿電壓:60.0 V,柵源擊穿電壓:±20.0 V,連續漏極電流:50.0 A,工作溫度:-55℃ ~ 175℃,長度:10.4 mm,寬度:4.6 mm,高度:9.15 mm,安裝方式:Through Hole,包裝:Tube,reach svhc:No SVHC,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Active,輸入電容:1300pF @25V(Vds),額定功率:110 W,下降時間:15 ns,工作溫度:175 ℃,工作溫度:-55 ℃,耗散功率:110W (Tc),reach svhc版本:2015/12/17,晶體管極性:N Channel,工業級:Yes；STP60NF06L 封裝:TO-220-3,引腳:3,功耗:110 W,針腳數:3,上升時間:220 ns,額定電壓:60.0 V,漏源極電阻:0.014 Ω,極性:N-Channel,閾值電壓:1 V,漏源極電壓:60 V,eccn代碼:EAR99,額定電流:60.0 A,漏源擊穿電壓:60.0 V,柵源擊穿電壓:±15.0 V,連續漏極電流:60.0 A,工作溫度:-65℃ ~ 175℃ (TJ),長度:10.4 mm,寬度:4.6 mm,高度:9.15 mm,安裝方式:Through Hole,包裝:Tube,reach svhc:No SVHC,含鉛標準:Lead Free,rohs:Compliant with Exemption,產品生命周期:Active,輸入電容:2000pF @25V(Vds),額定功率:110 W,下降時間:30 ns,工作溫度:175 ℃,工作溫度:-65 ℃,耗散功率:110W (Tc),晶體管極性:N Channel,工業級:Yes；FQP50N06L 封裝:TO-220-3,引腳:3,通道數:1,功耗:121 W,針腳數:3,輸入電容:1.25 nF,上升時間:380 ns,額定電壓:60.0 V,漏源極電阻:0.017 Ω,極性:N-Channel,閾值電壓:2.5 V,漏源極電壓:60 V,eccn代碼:EAR99,香港進出口證:NLR,額定電流:52.4 A,漏源擊穿電壓:60.0 V,柵源擊穿電壓:±20.0 V,連續漏極電流:52.0 A,工作溫度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),柵電荷:24.5 nC,長度:10.1 mm,寬度:4.7 mm,高度:9.4 mm,安裝方式:Through Hole,包裝:Tube,reach svhc:No SVHC,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Active,輸入電容:1630pF @25V(Vds),額定功率:121 W,下降時間:145 ns,工作溫度:175 ℃,工作溫度:-55 ℃,耗散功率:121 W,reach svhc版本:2015/06/15,晶體管極性:N Channel。
粵公網安備 44030502005351號