MMBT5551與MMBT5551LT1G、MMBTA06區別

MMBT5551和MMBT5551LT1G，MMBTA06的區別：MMBT5551 SOT-23 NPN 160V 600mA 0.35(W)；MMBT5551LT1G SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW，MMBTA06 SOT-23 NPN 80V 500mA 350mW。MMBT5551和MMBT5551LT1G；MMBTA06哪個好：MMBT5551 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MMBT5551? 單晶體管 雙極, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE；MMBT5551LT1G ON SEMICONDUCTOR? MMBT5551LT1G? 單晶體管 雙極, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE；MMBTA06 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? MMBTA06? 單晶體管 雙極, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE。MMBT5551和MMBT5551LT1G，MMBTA06對比：MMBT5551 封裝:SOT-23-3,引腳:3,頻率:300 MHz,功耗:350 mW,針腳數:3,額定電壓:160 V,極性:NPN,eccn代碼:EAR99,最小電流放大倍數:80 @10mA, 5V,hts代碼:8541210075,擊穿電壓:160 V,額定電流:600 mA,工作溫度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),長度:2.92 mm,寬度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安裝方式:Surface Mount,包裝:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Active,工作溫度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/06/15,額定功率:350 mW,工業級:Yes,工作溫度:150 ℃,耗散功率:350 mW,晶體管極性:NPN,直流電流增益:250；MMBT5551LT1G 封裝:SOT-23-3,引腳:3,額定功率:0.225 W,功耗:225 mW,針腳數:3,額定電壓:160 V,極性:NPN,最小電流放大倍數:80 @10mA, 5V,eccn代碼:EAR99,集電極最大允許電流:0.6A,最大電流放大倍數:250,擊穿電壓:160 V,額定電流:600 mA,材質:Silicon,工作溫度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),長度:2.9 mm,寬度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安裝方式:Surface Mount,包裝:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Active,汽車級:Yes,工作溫度:150 ℃,耗散功率:300 mW,晶體管極性:NPN,直流電流增益:80,工業級:Yes,工作溫度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,額定功率:225 mW；MMBTA06 封裝:SOT-23-3,引腳:3,頻率:100 MHz,額定功率:350 mW,功耗:350 mW,針腳數:3,額定電壓:80.0 V,極性:NPN,最小電流放大倍數:100 @100mA, 1V,擊穿電壓:80 V,eccn代碼:EAR99,額定電流:500 mA,集電極擊穿電壓:80.0 V,工作溫度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),長度:2.92 mm,寬度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安裝方式:Surface Mount,包裝:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Active,晶體管極性:NPN,直流電流增益:100,工作溫度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/06/15,額定功率:350 mW,工作溫度:150 ℃,耗散功率:0.35 W。