IRF530NPBF與IRF540NPBF、IRF530N,127區別

IRF530NPBF和IRF540NPBF，IRF530N,127的區別：IRF530NPBF REEL N-CH 100V 17A；IRF540NPBF REEL N-CH 100V 33A，IRF530N,127 TO-220AB-3。IRF530NPBF和IRF540NPBF；IRF530N,127哪個好：IRF530NPBF N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設備，外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統效率。 ### MOSFET 晶體管，Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設備組合提供快速切換速度，且可滿足各種電源需求。 應用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產品，從電動機控制到照明和家用電器。；IRF540NPBF INFINEON? IRF540NPBF? 晶體管, MOSFET, N溝道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V；IRF530N,127 Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube。IRF530NPBF和IRF540NPBF，IRF530N,127對比：IRF530NPBF 封裝:TO-220-3,引腳:3,額定功率:79 W,功耗:63 W,針腳數:3,輸入電容:920 pF,上升時間:22 ns,漏源極電阻:0.09 Ω,極性:N-CH,閾值電壓:4 V,漏源極電壓:100 V,漏源擊穿電壓:100 V,連續漏極電流:17A,工作溫度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),長度:10.54 mm,寬度:4.69 mm,高度:8.77 mm,安裝方式:Through Hole,包裝:Tube,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Active,耗散功率:70W (Tc),輸入電容:920pF @25V(Vds),晶體管極性:N Channel,下降時間:25 ns,工作溫度:-55 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,額定功率:70 W,工業級:Yes,工作溫度:175 ℃；IRF540NPBF 封裝:TO-220-3,引腳:3,額定功率:140 W,功耗:130 W,針腳數:3,輸入電容:1960 pF,上升時間:35 ns,漏源極電阻:0.044 Ω,極性:N-CH,閾值電壓:4 V,漏源極電壓:100 V,連續漏極電流:33A,材質:Silicon,工作溫度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),長度:10.54 mm,寬度:4.69 mm,高度:8.77 mm,安裝方式:Through Hole,包裝:Tube,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Active,晶體管極性:N Channel,額定功率:130 W,工作溫度:175 ℃,耗散功率:130000 mW,輸入電容:1960pF @25V(Vds),工業級:Yes,下降時間:35 ns,工作溫度:-55 ℃；IRF530N,127 封裝:TO-220-3,功耗:79W (Tc),上升時間:36 ns,漏源極電壓:100 V,工作溫度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),安裝方式:Through Hole,包裝:Tube,含鉛標準:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命周期:Obsolete,輸入電容:633pF @25V(Vds),耗散功率:79W (Tc),下降時間:12 ns。