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    更新時間:2021-12-14 16:33:37
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    IRF840 全球供應商

    全球供應商

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    850 mΩ
    極性
    N-Channel
    耗散功率
    125W (Tc)
    漏源極電壓(Vds)
    500 V
    漏源擊穿電壓
    500 V
    柵源擊穿電壓
    ±20.0 V
    連續漏極電流(Ids)
    8.00 A
    上升時間
    21.0 ns
    輸入電容(Ciss)
    832pF @25V(Vds)
    耗散功率(Max)
    125W (Tc)
    封裝參數
    安裝方式
    Through Hole
    封裝
    TO-220-3
    外形尺寸
    封裝
    TO-220-3
    物理參數
    工作溫度
    150℃ (TJ)
    其他
    產品生命周期
    Unknown
    包裝方式
    Tube
    符合標準
    RoHS標準
    含鉛標準
    產品概述

    N溝道增強型功率MOS晶體管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

    N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220


    得捷:
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB


    艾睿:
    Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220


    Verical:
    Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin (3+Tab) TO-220


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    IRF840 數據手冊

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    IRF840 數據手冊Datasheet PDF 3
    8 頁,313 KB

    IRF840 代替型號 更多代替型號

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    對比
    IRF840
    IRF840
    ST Microelectronics (意法半導體)
    MOS管
    當前型號
    N溝道增強型功率MOS晶體管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    當前型號
    IRF840PBF
    IRF840PBF
    威世
    MOS管
    功能相似 器件功能特性相符,但主要參數不一致,對電路結構修正,可進行代換。如更換,請務必閱讀數據文檔
    功率MOSFET Power MOSFET
    IRF840和IRF840PBF區別
    IRF840PBF
    IRF840PBF
    Vishay Siliconix
    MOS管
    功能相似 器件功能特性相符,但主要參數不一致,對電路結構修正,可進行代換。如更換,請務必閱讀數據文檔
    Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
    IRF840和IRF840PBF區別
    IRF840
    IRF840
    威世
    MOS管
    功能相似 器件功能特性相符,但主要參數不一致,對電路結構修正,可進行代換。如更換,請務必閱讀數據文檔
    功率MOSFET Power MOSFET
    IRF840和IRF840區別
    更多代替型號

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